随机波场中拓扑电荷的屏蔽与涨落
光学
2018-07-04 v1
摘要
涡旋、相位奇点以及任意类型的拓扑缺陷往往反映了对于理解其出现所在物理系统至关重要的信息。借助近场实验与数值计算的支持，我们确定了各向同性随机波中相位奇点的拓扑电荷涨落随观测窗口尺寸R的变化关系。我们证明，对于二维场，此类涨落以超线性标度律增长，与R log R行为一致。此外，我们表明这种标度律在存在各向异性时依然成立。
引用
@article{arxiv.1807.01032,
title = {Screening and fluctuation of the topological charge in random wave fields},
author = {L. De Angelis and L. Kuipers},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.01032},
year = {2018}
}