基于变分相理论的点缺陷势中耦合价带空穴的散射态
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
在本文中，我们提出了一种计算强自旋轨道耦合区球对称带中空穴散射态的方法。更准确地说，我们计算了半导体晶体中缺陷引起的空穴散射相移和振幅。我们遵循了Ralph [H. I. Ralph, Philips Res. Rept. 32 160 (1977)]在此主题上的先前工作，以考虑p波性质以及价带态的耦合。我们将Ralph的分析扩展到在散射问题中包含有限程势。我们发现变分相方法为我们的目的提供了一个非常方便的框架，并详细展示了如何获得散射振幅和相移。还讨论了薛定谔方程的格林矩阵、Lippmann-Schwinger方程和Born近似。提供了示例以说明我们使用Yukawa型势的计算。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610886,
title = {Scattering states of coupled valence-band holes in point defect potential derived from variable phase theory},
author = {P. Bogdanski and H. Ouerdane},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610886},
year = {2007}
}
备注
16 pages and 9 figures