深入理解自旋霍尔效应的斜散射机制：势散射与自旋轨道散射
介观与纳米尺度物理
2013-12-17 v1 强关联电子
摘要
我们使用 Fert 和 Levy [Phys. Rev. Lett. {\bf 106}, 157208 (2011)] 共振散射模型的扩展版本，对自旋霍尔电导率的斜散射贡献进行了详细分析。对于 Cu 主体中的 杂质，所提出的相移模型复现了相应的第一性原理计算结果。达成这一致性的关键在于考虑了与 和 杂质态相关的两个散射通道，因为所讨论的机制由这两个角动量通道中自旋轨道散射与势散射之间微妙的相互作用所主导。研究表明，势散射强度对自旋霍尔电导率的大小起着决定性作用。
引用
@article{arxiv.1308.4012,
title = {Insight into the skew-scattering mechanism of the spin Hall effect: potential scattering versus spin-orbit scattering},
author = {Christian Herschbach and Dmitry V. Fedorov and Ingrid Mertig and Martin Gradhand and Kristina Chadova and Hubert Ebert and Diemo Ködderitzsch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.4012},
year = {2013}
}