原子级薄层 1T-TaS$_2$ 中隐藏相的扫描隧道显微镜研究
材料科学
2023-02-09 v1 强关联电子
摘要
由于减薄导致的较低热稳定性常在低维材料中引发前所未有的隐藏相。此类隐藏相可与原有电子相共存或竞争。我们利用扫描隧道显微镜研究了在原子级薄层（6-8 层）1T-TaS 中观测到的隐藏相。首先，我们能在室温下电诱导出一种隐藏条纹相。这种单轴条纹相通过破缺 1T-TaS 的三重对称性而具有三种等价取向。我们还揭示该隐藏条纹相与近公度电荷密度波相共存。接着，我们观察到在微小薄片（ nm）上无需任何电激发即可自发出现该 emergent 条纹相。我们的发现可能为先前在薄层 1T-TaS 器件中于室温下观测到的相变和二重光学响应提供合理解释。此外，该隐藏条纹相对于理解 1T-TaS 中奇异的 CDW 相关现象以实现潜在应用至关重要。
引用
@article{arxiv.2212.13376,
title = {Scanning tunneling microscopy study of hidden phases in atomically thin 1T-TaS$_2$},
author = {Wooin Yang and Dowook Kim and Hyoung Kug Kim and Tae-Hwan Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.13376},
year = {2023}
}
备注
6 pages, 5 figures