Sb 浓度依赖的多晶 Bi-Sb 合金结构与电阻特性
材料科学
2013-12-16 v1
摘要
采用固态反应法在较宽的锑浓度范围（8 at% 至 20 at%）内合成了多晶 Bi-Sb 合金。利用 X 射线衍射（XRD）和温度依赖电阻率测量对合成样品进行了深入的结构分析。XRD 数据证实了多晶样品的单相性质，并揭示了铋与锑之间形成了完整的固溶体。利用 MAUD 软件采用 Rietveld 精修技术对样品进行了详细的结构分析，并估算了合成 Bi-Sb 合金的晶格参数。晶格参数和晶胞体积随锑含量的增加而单调减小。晶格参数随锑浓度的变化表明，在超过 12 at% Sb 含量的样品中斜率发生了明显变化。通过电阻率数据的热变化估算了带隙，其中 12% Sb 含量的样品显示出最大值。观察到随着锑浓度的增加，从直接带隙半导体到间接带隙半导体的转变与估算的晶格参数变化密切相关。此外，还提出了多晶 Bi-Sb 合金系统的能带图。
引用
@article{arxiv.1209.5506,
title = {Sb concentration dependent structural and resistive properties of polycrystalline Bi-Sb alloys},
author = {K. Malik and Diptasikha Das and D. Mondal and D. Chattopadhyay and A. K. Deb and S. Bandyopadhyay and Aritra Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.5506},
year = {2013}
}
备注
To be published in J. Applied Physics