魔角扭曲双层石墨烯中SU(4)谷+自旋涨落机制导致的稳健$T$线性电阻率
强关联电子
2024-05-24 v2 超导电性
摘要
在魔角扭曲双层石墨烯（MATBG）中，普遍观察到非费米液体输运现象。为了理解其起源，我们进行了由于电子-电子关联引起的SU(4)谷+自旋涨落导致的自能自洽分析。在SU(4)涨落机制中，十五个涨落通道对自能产生加和贡献。因此，SU(4)涨落机制产生的电阻远高于自旋涨落机制。出于同样的原因，中等强度的SU(4)涨落提供了低至约1K的线性电阻率。有趣的是，线性电阻率在很宽的电子填充范围内稳健实现，即使远离范霍夫填充也是如此。这项研究为MATBG中电子-电子关联的重要性提供了有力证据。
引用
@article{arxiv.2312.16042,
title = {Robust $T$-Linear Resistivity due to SU(4) Valley + Spin Fluctuation Mechanism in Magic Angle Twisted Bilayer Graphene},
author = {Daisuke Inoue and Seiichiro Onari and Hiroshi Kontani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.16042},
year = {2024}
}
备注
11 pages, 9 figures