MnGa/重金属双层结构中拓扑霍尔效应的稳健形成
材料科学
2018-02-28 v3 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
我们研究了由界面 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用（DMI）诱导的 MnGa/Pt 和 MnGa/Ta 双层结构中的拓扑霍尔效应（THE）。基于具有较小临界 DMI 能量常数的 MnGa 薄膜，发现了最显著的 THE 信号。在 5 至 300 K 的整个温度范围内，从总霍尔信号中提取了霍尔信号中巨大的拓扑分量。这些结果为基于体垂直磁各向异性材料探索 DMI 诱导的磁行为开辟了道路，适用于基础物理学和磁存储技术。
引用
@article{arxiv.1710.08125,
title = {Robust formation of topological Hall effect in MnGa/heavy metal bilayers},
author = {Kangkang Meng and Xupeng Zhao and Pengfei Liu and Qi Liu and Yong Wu and Jikun Chen and Jun Miao and Xiaoguang Xu and Jianhua Zhao and Yong Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.08125},
year = {2018}
}