通过跃迁电压谱揭示分子轨道门控

Ioan Baldea

通过跃迁电压谱揭示分子轨道门控

介观与纳米尺度物理 2010-07-29 v2 量子物理

作者: Ioan Baldea

摘要

最近，Song等人[Nature 462, 1039 (2009)]利用跃迁电压谱证明，单分子晶体管中最高占据分子轨道(HOMO)的能量 $\varepsilon_H$ 可以通过栅极电位 $V_G$ 控制。为了证明 $\varepsilon_H$ - $V_G$ 的线性依赖关系，实验数据通过将分子建模为跨越分子结空间源漏区域的能量势垒来解释。由于如本工作所示，该粗略模型无法定量描述测量的 $I$ - $V$ 特性，因此进一步支持 $\varepsilon_H$ 对 $V_G$ 的线性依赖关系至关重要。本文在点状分子模型中获得的结果证实了这种线性依赖关系。由于这两个模型依赖于互补的描述，当前结果表明，将实验结果解释为栅极控制HOMO的证据具有足够的普适性。

关键词

跃迁电压谱分子轨道门控单分子晶体管最高占据分子轨道栅极电位 I-V特性

引用

@article{arxiv.1006.0897,
  title  = {Revealing molecular orbital gating by transition-voltage spectroscopy},
  author = {Ioan Baldea},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1006.0897},
  year   = {2010}
}

备注

to appear in Chemical Physics

通过跃迁电压谱揭示分子轨道门控

摘要

关键词

引用

备注

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