在预言的弱拓扑绝缘体HoSbTe中揭示电荷密度波能隙
强关联电子
2022-06-15 v1
摘要
HoSbTe被预言为一种弱拓扑绝缘体，其自旋轨道耦合（SOC）能隙据报道可达数百meV量级。利用红外光谱，我们发现该化合物在350 K至10 K范围内均呈金属性。特别地，其巡游载流子密度和散射率均随温度降低而减小，这导致了在约200 K的温度依赖电阻中出现宽驼峰特征。更重要的是，我们揭示了除SOC相关能隙外还存在电荷密度波（CDW）能隙。该CDW能隙的能量尺度在10 K时被确定为364 meV，在350 K时移至252 meV。同一化合物中CDW与SOC能隙的共存为探索更有趣的物理现象开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.2110.02184,
title = {Revealing a charge-density-wave gap in the predicted weak topological insulator HoSbTe},
author = {J. L. Liu and R. Liu and M. Yang and L. Y. Cao and B. X. Gao and L. Wang and A. F. Fang and Y. G. Shi and Z. P. Yin and R. Y. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.02184},
year = {2022}
}