缺陷与 Hf 掺杂 ZrTe$_{3}$ 电荷密度波态的相互作用
材料科学
2025-12-22 v1 强关联电子
超导电性
摘要
我们对电荷密度波 (CDW) 合物 ZrTe 进行温度依赖的扫描隧道显微镜 (STM) 研究。该材料经 Hf 掺杂处理后, 前期的批量研究表明 Hf 掺杂可提升 CDW 相变温度 (T)。在本研究中, 我们结合 STM 测量与密度泛函理论 (DFT) 计算, 观察并鉴定出 ZrHfTe 中的多种缺陷。意外的是, 我们未发现与 Hf 掺杂相关的明确结构或电子特征, 而是确定所观察缺陷的来源与 Te 与 Zr 空位一致。进一步, 我们的温度依赖 STM 测量使我们能够在 T 以下和以上检查 CDW 对两种缺陷的钉扎现象。
引用
@article{arxiv.2512.17867,
title = {Interplay of Defects and the Charge Density Wave State in Hf-Doped ZrTe$_{3}$},
author = {Ghilles Ainouche and Resmi Sudheer and Susree Mohapatra and Boning Yu and Muhammad Suhayb Malik and Yu Liu and Cedomir Petrovic and Abhilash Ravikumar and Michael C. Boyer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.17867},
year = {2025}
}