(TMTSF)$_{2}$PF$_{6}$中跳跃电子的巨塞贝克系数
强关联电子
2016-03-01 v2
摘要
我们报道了准一维导体(TMTSF)PF深入自旋密度波(SDW)态后的塞贝克系数与电阻率研究。在 = 12 K处的金属-绝缘体相变使载流子浓度降低了七个数量级。在1 K以下，电荷输运表现出称为变程跳跃(VRH)的行为。迄今为止，该状态下电子的塞贝克响应极少被探索，更鲜被理解。我们发现，在该体系中，从一个陷阱跳跃到另一个陷阱的残余载流子产生了高达400 /的塞贝克系数。这些结果为一长期存在的理论预言提供了首个确凿证据：该预言认为，在库仑相互作用存在下，跳跃电子可在零温极限产生可观的塞贝克系数。
引用
@article{arxiv.1601.01248,
title = {Colossal Seebeck coefficient of hopping electrons in (TMTSF)$_{2}$PF$_{6}$},
author = {Yo Machida and Xiao Lin and Woun Kang and Koichi Izawa and Kamran Behnia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.01248},
year = {2016}
}
备注
Final version