化学无序半赫斯勒狄拉克半金属中的共振杂质态
材料科学
2016-05-03 v1
摘要
我们探讨了块体半赫斯勒合金中的电子输运特性，其成分被调节到拓扑非平庸半金属与平庸半导体相的边界。基于相干势近似（CPA）的精确第一性原理计算表明，所有研究的体系都表现出一组无色散的类杂质共振能级，其中一条恰好位于狄拉克点。借助 Kubo 形式体系，我们发现这些合金的剩余电导率被杂质散射强烈抑制，而自旋霍尔电导率表现出与 Pt 相当的大值，从而导致发散的自旋霍尔角。
引用
@article{arxiv.1510.06935,
title = {Resonant impurity states in chemically disordered half-Heusler Dirac semimetals},
author = {J. Kiss and S. W. D'Souza and L. Wollmann and C. Felser and K. Chadova and D. Ködderitzsch and J. Minár and H. Ebert and S. Chadov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.06935},
year = {2016}
}