半导体量子点中的共振拉曼散射：绝热微扰论与含时微扰论
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1 材料科学
摘要
对半导体纳米晶体中共振单声子拉曼散射的绝热理论进行了修正和扩展，加入了由Albrecht B项给出的非绝热微扰修正。将该理论与含时微扰方法进行了对比，指出了它们的异同。结果表明，在弱电子-声子耦合以及非简并或非耦合共振态的极限下，两种理论是等价的。报告了CdSe和CdS纳米晶体中受限LO声子的A项和B项的计算结果。这些计算表明，B项通常可以忽略。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204583,
title = {Resonance Raman scattering in semiconductor quantum dots: Adiabatic vs. time-dependent perturbation theory},
author = {E. Menendez-Proupin and Nana Cabo-Bisset},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204583},
year = {2009}
}
备注
8 pages, twocolumn, 0 figure. Sent to PRB