二元同位素组成半导体的无序诱导声子自能
凝聚态物理
2009-11-07 v1
摘要
通过扰动理论推导的同位素无序半导体中拉曼声子的自能效应，并与实验数据进行比较。在声学频率区域之外，较高阶项对光声子频率的自能贡献显著。二元同位素体系 中自能对较重同位素质量 x 浓度的非对称依赖，可通过考虑二次和三次扰动项来解释。对于元素半导体，自能的最大值出现在 的浓度范围内，这取决于三次扰动项的强度。我们施加了合理的近似条件，推导出扰动项阶数之比的实部和虚部自能的显式表达式。这种基本理论方法与金刚石和硅的拉曼光谱结果、基于相干势近似的计算以及基于 ab initio 电子理论的结果相一致。将该形式化推广到二元化合物，只需考虑各亚晶格的特征向量即可。这使得我们能够解释最近对 C 富集碳亚晶格的 SiC 中 TO（折叠）模态无序诱导展宽实验结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107102,
title = {Disorder-induced phonon self-energy of semiconductors with binary isotopic composition},
author = {F. Widulle and J. Serrano and M. Cardona},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107102},
year = {2009}
}
备注
29 pages, 9 figures, 2 tables, submitted to PRB