无序 A3C60 (A= K, Rb) 中声子线状
材料科学
2009-10-31 v2
摘要
我们计算了 A3C60 (A= K, Rb) 模型的 Hg 声子自能。其中包括 C60 分子的取向无序，考虑最低阶自能图。计算表明，由于取向无序导致动量守恒被破坏，拉曼散射可以测量声子在电子-空穴对中的衰变，从而允许从此类实验估计电子-声子耦合。与实验线状的比较进一步为分子取向的局部相关性提供了支持，即相邻分子倾向于具有相差 90 度旋转的取向。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9902191,
title = {Phonon line shape in disordered A3C60 (A= K, Rb)},
author = {J. E. Han and O. Gunnarsson and V. Eyert},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9902191},
year = {2009}
}
备注
7 pages, latex2e, 3 eps figure, additional material avalable at http://www.mpi-stuttgart.mpg.de/docs/ANDERSEN/fullerene/