半导体纳米晶体中的多声子拉曼散射：非绝热跃迁的重要性
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
本文在同时考虑绝热和非绝热声子辅助光学跃迁的情况下，处理了半导体纳米晶体中的多声子拉曼散射。由于不同对称性的声子均参与散射过程，纳米晶体拉曼光谱中多声子峰的强度得到显著增强。本文详细讨论了强带混合和弱带混合两种情况。在第一种情况下，基本散射通过内部电子-空穴态发生，并有 s 声子和 d 声子参与；而在第二种情况下，当单声子拉曼峰的强度受到电子和空穴与界面缺陷（例如被俘获电荷）相互作用的强烈影响时，p 声子最为活跃。对 CdSe 和 PbS 纳米晶体拉曼散射光谱的计算与近期实验结果取得了良好的定量一致性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111282,
title = {Multi-phonon Raman scattering in semiconductor nanocrystals: importance of non-adiabatic transitions},
author = {E. P. Pokatilov and S. N. Klimin and V. M. Fomin and J. T. Devreese and F. W. Wise},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111282},
year = {2009}
}
备注
16 pages, 2 figures, E-mail addresses: [email protected], [email protected], [email protected], accepted for publication in Physical Review B