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基于热电系数细化高度补偿半金属的双带模型

强关联电子 2025-04-29 v2 材料科学

摘要

在研究补偿半金属时,双带模型在捕捉磁场下电导率的行为方面非常有用,尤其是作为电子类载体与空穴类载体密度和迁移率的函数而言。然而,它很少能为磁热电特性提供实际见解。本文报告了高度补偿半金属 NbSb2_2 中热电系数随磁场依赖性的研究,我们发现 Seebeck 系数和 Nernst 系数分别随应用磁场呈二次线性和线性关系。这种场依赖性是在半经典玻尔兹曼运输理论下,针对两个抛物带系统的前工作中预测的,当同时满足两个条件时:ωcτ1\omega_c\tau \gg 1tanθH1\tan\theta_H \ll 1。在这些条件下,我们发现热电系数的场依赖性直接提供了电子类 (nen_e) 与空穴类 (nhn_h) 载流子密度之间的关系,从而可用于细化双带模型的拟合。通过这种方法,我们发现 NbSb2_2 的补偿因子 (Δnne\frac{|\Delta n|}{n_e}) 比以往不受限制的拟合发现的小两个数量级,这导致磁阻饱和场规模更大。在相同的半经典理论框架下,我们还推导出热电洛仑角 tanθγ=SxySxx\tan\theta_{\gamma} = \frac{S_{xy}}{S_{xx}} 可以表示为 (Δnne×ωcτ)1\big(\frac{|\Delta n|}{n_e} \times \omega_c\tau\big)^{-1},这作为一个参数可用于预测补偿程度。我们的发现为识别场诱导热电性能增强的经验条件,以及基于半金属材料工程高效热电器件提供了关键见解。

关键词

引用

@article{arxiv.2412.17688,
  title  = {Refining the Two-Band Model for Highly Compensated Semimetals Using Thermoelectric Coefficients},
  author = {Ian Leahy and Andrew Treglia and Gang Cao and Brian Skinner and Minhyea Lee},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2412.17688},
  year   = {2025}
}

备注

8 pages, 5 figures