用于光源掩模优化的约化基方法
光学
2010-11-15 v1 计算物理
摘要
图像建模和仿真对于扩展用于集成电路制造的前沿光刻技术的极限至关重要。同步光源掩模优化（SMO）已成为计算光刻领域的一个重要目标。SMO被认为对于将浸没式光刻扩展到45nm节点以上至关重要。然而，SMO在计算上极具挑战性且耗时。关键挑战在于用于计算光刻的成像模型的运行时间与精度之间的权衡。我们提出了一种将纳入SMO流程的新技术。这种新方法基于应用于模拟光通过光刻掩模传输的约化基方法（RBM）。它提供了基于全矢量麦克斯韦方程的精确光刻问题的严格近似。使用约化基方法，优化过程分为离线步骤和在线步骤。在离线步骤中，使用基于有限元（FEM）的求解器自适应地构建具有可变几何参数的RBM模型。在在线步骤中，对于任意照明和几何参数（如OPC特征的尺寸、线宽等），可以非常快速地求解RBM模型。这种方法显著降低了优化过程的计算成本，同时提供了优于涉及简化掩模模型的方法的精度。此外，RBM提供了严格的误差估计器，确保了约化基解的质量和可靠性。我们将约化基方法应用于一个3D SMO示例。我们量化了方法的性能、计算成本和精度。
引用
@article{arxiv.1011.2902,
title = {Reduced basis method for source mask optimization},
author = {J. Pomplun and L. Zschiedrich and S. Burger and F. Schmidt and J. Tyminski and D. Flagello and N. Toshiharu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.2902},
year = {2010}
}
备注
BACUS Photomask Technology 2010