在电路QED中实现非厄米量子行走中的拓扑转变
量子物理
2017-03-28 v3
摘要
我们考虑退相干效应，扩展了非厄米一维量子行走模型[Phys. Rev. Lett. 102, 065703 (2009)]。我们证明了即使单元内位点间存在退相干，拓扑转变的特征也不改变。讨论了在由超导量子比特耦合到超导谐振腔模式的电路QED系统中对理论结果进行实验观测的可能性，并进行了数值模拟。结果清晰显示了量子行走中的拓扑转变，并展示了该系统对量子比特衰减和退相干的鲁棒性。我们还讨论了如何在电路QED系统中将此模型扩展到更高维度。
引用
@article{arxiv.1601.01774,
title = {Realizing Topological Transition in a Non-Hermitian Quantum Walk with Circuit QED},
author = {Yizhou Huang and Zhang-qi Yin and W. L. Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.01774},
year = {2017}
}
备注
8 pages, 9 figures; published version