利用反铁磁转变实现纳米级金属结的N型IVC
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
我们在低温(<8K)下观察到基于重费米子化合物UPd2Al3的亚微米(~200nm)金属断裂结的滞回I(V)特性。通过原位增加局部残余电阻率或升高温度来降低接触质量，会减小这种滞回现象。我们证明，通过假设收缩区处于热区，这些滞回I(V)曲线可以在理论上得到重现。我们的计算表明，这种反常的I(V)曲线源于UPd2Al3的电阻率ρ(T)在奈尔温度TN ~ 14K附近的急剧增加。从这个角度来看，任何具有类似ρ(T)行为的金属都应产生类似的滞回I(V)曲线。作为例子，我们展示了稀土锰氧化物La{0.75}Sr{0.25}MnO3（一种具有庞磁电阻的体系）的计算结果。通过这种方式，我们证明了纳米级点接触可以成为具有N形I(V)特性（即具有负微分电阻）的非线性器件，可以像Esaki隧道二极管或Gunn二极管一样用作放大器、发生器和开关单元。据估计，所研究接触的特征响应时间小于1纳秒。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410535,
title = {Realization of an N-shaped IVC of nanoscale metallic junctions using the antiferromagnetic transition},
author = {Yu. G. Naidyuk and K. Gloos and I. K. Yanson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410535},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 2 figs, presented on NATO ARW “Nanoscale Devices – Fundamentals and Applications” (18-22 Sept. 2004, Kishinev, Moldova)