本征磁性拓扑绝缘体中的反常朗道量子化
计算机视觉与模式识别
2022-08-30 v1
摘要
本征磁性拓扑绝缘体Mn(Bi1-xSbx)2Te4在其自旋排列强场构型中已被确定为由单对Weyl节点构成的Weyl半金属1-4。Weyl态的一个直接后果是薄膜量子化中层依赖的陈数（C）。先前在MnBi2Te4薄膜中的报道通过增加薄膜厚度5或控制化学势进入电子掺杂6-8揭示了自旋排列中更高的C态。由于磁场中表面能带朗道能级（LLs）的出现使情况复杂化，对更高陈数态的清晰图像仍然缺失。在此，我们通过对Mn(Bi1-xSbx)2Te4双栅器件中量子化态的详细分析，报道了由Sb替代实现的可调层依赖C=1态，这与化合物中体Weyl点分离的计算一致。我们在强磁场下较厚Mn(Bi1-xSbx)2Te4薄膜中观察到的霍尔量子化平台可由薄膜磁性拓扑绝缘体中表面和体自旋极化朗道能级谱的理论解释。我们的结果表明，Mn(Bi1-xSbx)2Te4薄膜为探测对磁序强烈敏感的反常朗道量子化物理提供了一个高度可调的平台。
引用
@article{arxiv.2208.13333,
title = {Real-Time Mask Detection Based on SSD-MobileNetV2},
author = {Chen Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.13333},
year = {2022}
}