来自涨落电子显微术的实空间信息：在非晶硅中的应用
无序系统与神经网络
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
复杂材料的理想模型必须满足关于该系统的所有可用信息。通常，这些信息包括实验数据、隐含于复杂原子间相互作用中的信息以及潜在的其它先验信息。通过将第一性原理或紧束缚信息与实验数据联合施加，我们开发了一种方法：实验约束分子弛豫（ECMR），该方法利用了所有可用信息。我们应用该方法，以涨落电子显微术（FEM）数据作为实验信息，对非晶硅中的中程序进行了建模。考察了中程序的次晶模型，并提出了一种基于非晶硅中空洞的新模型。我们的工作表明，表现出中程序（在 FEM 实验中）的非晶硅薄膜，可以准确地由连续无规网络模型表示，该网络具有由分布在网络中的有序晶粒和空洞组成的不均匀性。
引用
@article{arxiv.0707.4012,
title = {Real space information from Fluctuation electron microscopy: Applications to amorphous silicon},
author = {Parthapratim Biswas and Raymond Atta-Fynn and S. Chakraborty and D. A. Drabold},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.4012},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 10 figures, invited paper for the workshop on Nanoscale Order in Amorphous and Partially ordered Solids, Trinity College, Cambridge, UK