四面体非晶半导体中的扩展范围有序：以非晶硅为例
无序系统与神经网络
2022-03-23 v1 材料科学
统计力学
摘要
本文利用蒙特卡洛与分子动力学模拟得到的超大原子模型，报道了非晶硅（-Si）原子对关联函数中存在扩展范围有序。该扩展范围有序以径向振荡的形式显现，长度尺度为 20-40 埃，通过直接分析远处配位壳层中原子的径向分布，并从信息论角度将其与一类部分有序的 Si 原子网络及晶体硅的无序构型进行比较来考察。研究表明，扩展范围径向振荡主要源于前几个原子壳层的径向有序传播至最远 40 埃的距离。通过获得 -Si 静态结构因子的半解析表达式，并估算因远处壳层径向信息截断所导致的 FSDP 强度误差，探讨了这些振荡对结构因子中第一锐利衍射峰（FSDP）的影响。结果表明，扩展范围振荡对 FSDP 的位置和强度无明显影响，后者主要由非晶硅中长达 20 埃的中程原子关联决定。
引用
@article{arxiv.2202.13241,
title = {Extended-range order in tetrahedral amorphous semiconductors: The case of amorphous silicon},
author = {Devilal Dahal and Stephen R. Elliott and Parthapratim Biswas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.13241},
year = {2022}
}
备注
12 pages, 17 figures