水异质结构光电探测器用于半导体少载子寿命计算
计算机视觉与模式识别
2025-11-11 v3 人工智能
摘要
半导体材料的少载子寿命是光电子器件的关键性能参数。然而，现有的少载子寿命测量技术需要精密的光学测量系统和有害的样品处理，这将显著限制半导体行业的进一步发展。本文基于水分子在水/硅和水/石墨烯界面动态极化过程，实现了一种脱节石墨烯/水/硅光电探测器。该器件在890 nm光照射下，以距离junction 0.2 cm为准，显示出典型的响应度为36.55 mA W-1和探测灵敏度为1.62×10^12 Jones。这种脉冲状光响应源于光照射脱节点处产生的扩散和漂移电流。此外，通过在不同距离测量光电流并结合指数拟合方法，可对硅的少载子寿命进行计算，最大准确率达到98.8%，其中水发挥了确定载子寿命的关键作用。该研究提供了一种简便的方法，为半导体材料的无损测试(NDT)的未来发展指明了方向。
引用
@article{arxiv.2507.19856,
title = {RaGS: Unleashing 3D Gaussian Splatting from 4D Radar and Monocular Cues for 3D Object Detection},
author = {Xiaokai Bai and Chenxu Zhou and Lianqing Zheng and Si-Yuan Cao and Jianan Liu and Xiaohan Zhang and Yiming Li and Zhengzhuang Zhang and Hui-liang Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.19856},
year = {2025}
}