ILC 的 FPCCD 顶点探测器的抗辐射性能
仪器与探测器
2017-03-17 v1 高能物理 - 实验
摘要
细像素 CCD (FPCCD) 是 ILC 顶点探测器的候选传感器技术之一。顶点探测器位于相互作用点附近，因此需要具备高抗辐射性能。CCD 的电荷转移效率会因辐射损伤在像素中产生陷阱而退化。我们测量了经中子辐照的 FPCCD 原型机的电荷转移 inefficiency (CTI)。我们观察到其 CTI 相较于未辐照的 CCD 出现了退化。为了改善辐照后 CCD 的 CTI，我们进行了 fat-zero 电荷注入以填充陷阱。在本文中，我们报告了 CTI 改善的现状。
引用
@article{arxiv.1703.05603,
title = {Radiation tolerance of FPCCD vertex detector for the ILC},
author = {Shunsuke Murai and Akimasa Ishikawa and Tomoyuki Sanuki and Akiya Miyamoto and Yasuhiro Sugimoto and Hisao Sato and Hirokazu Ikeda and Hitoshi Yamamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.05603},
year = {2017}
}
备注
Talk presented at the International Workshop on Future Linear Colliders (LCWS2016), Morioka, Japan, 5-9 December 2016. C16-12-05.4