天体物理中丰度较高的硫离子的R矩阵电子碰撞激发数据

G. Y. Liang; N. R. Badnell; G. Zhao; J. Y. Zhong; F. L. Wang

doi:10.1051/0004-6361/201117616

天体物理中丰度较高的硫离子的R矩阵电子碰撞激发数据

太阳与恒星天体物理 2015-05-30 v2

作者: G. Y. Liang , N. R. Badnell , G. Zhao , J. Y. Zhong , F. L. Wang

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摘要

我们展示了使用中间耦合框架变换R矩阵方法获得的高电荷硫离子（S8+ - S11+）的电子碰撞激发结果。对四种离子的靶结构进行了详细比较，以评估靶结构对碰撞强度的不确定性。给出了温度范围从 $2\times10^2(z+1)^2$ K 到 $2\times10^6(z+1)^2$ K（其中z为离子的剩余电荷）的有效碰撞强度（ $\Upsilon$ ）。将这些离子的 $\Upsilon$ 与先前计算结果进行了详细比较，这将有助于了解天体物理和聚变建模代码在使用这些数据时的不确定性。

关键词

电子碰撞激发 R矩阵硫离子碰撞强度有效碰撞强度天体物理等离子体聚变建模

引用

@article{arxiv.1108.0091,
  title  = {R-matrix electron-impact excitation data for astrophysically abundant sulphur ions},
  author = {G. Y. Liang and N. R. Badnell and G. Zhao and J. Y. Zhong and F. L. Wang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1108.0091},
  year   = {2015}
}

备注

13 pages, 9 figures, 6 tables, accepted by A&A

天体物理中丰度较高的硫离子的R矩阵电子碰撞激发数据

摘要

关键词

引用

备注

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