Si II的辐射跃迁速率和碰撞强度
星系天体物理
2015-05-14 v1
摘要
目的。本工作报告了Si II的3s23p、3s3p2、3s24s和3s23d组能级的辐射跃迁速率和电子碰撞激发碰撞强度。方法。辐射数据使用Thomas-Fermi-Dirac-Amaldi中心势计算，但采用了Bautista (2008)引入的修正，该修正考虑了电子-电子相互作用的影响。我们还引入了优化势变分参数的新方案。使用相对论性Hartree-Fock和多组态Dirac-Fock方法进行了额外计算。LS耦合下的碰撞强度采用R矩阵方法在闭耦合近似下计算。然后，通过中间耦合框架变换(ICFT)方法获得精细结构碰撞强度，该方法考虑了自旋-轨道耦合效应。结果。我们对不同近似的结果与文献中最新的计算和实验进行了广泛比较。通过这些比较，我们推导出一组推荐的gf值和辐射跃迁速率及其相应的估计不确定度。我们还研究了靶离子表示中不同近似对电子碰撞碰撞强度的影响。我们最精确的一组碰撞强度在麦克斯韦电子能量分布上积分，并给出了宽温度范围内的有效碰撞强度。我们的结果与最近使用B样条非正交R矩阵方法的计算存在显著差异。我们讨论了差异的来源。
引用
@article{arxiv.0910.5425,
title = {Radiative transition rates and collision strengths for Si II},
author = {M. A. Bautista and P. Quinet and P. Palmeri and N. R. Badnell and J. Dunn and N. Arav},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.5425},
year = {2015}
}
备注
6 figures, 5 tables within text, 2 electronic tables