电子碰撞激发OII精细结构能级
天体物理仪器与方法
2015-05-13 v1
摘要
在Breit-Pauli近似下，使用R矩阵方法计算了O II的5个能量最低精细结构能级之间禁戒跃迁的有效碰撞强度。给出了电子温度范围100至100,000 K的结果。通过使用不同类型的径向轨道集和靶波函数的不同组态扩展基，评估了计算的准确性。对先前可用的数据进行了详细评估，并指出了错误的结果。我们的结果重新确认了原始Seaton和Osterbrock标度对光学O II比值的有效性，这是近期一些争议的问题。最后，我们使用最佳碰撞强度和跃迁概率给出了等离子体诊断图。
引用
@article{arxiv.0907.4209,
title = {Electron impact excitation of OII fine-structure levels},
author = {R. Kisielius and P. J. Storey and G. J. Ferland and F. P. Keenan},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.4209},
year = {2015}
}
备注
2009MNRAS.397..903K