[Ne V] 在红外和光学源中的精细结构碰撞强度和谱线比
原子物理
2015-06-15 v1 太阳与恒星天体物理
摘要
本文给出了 Ne V 中红外和光学跃迁的改进碰撞强度。采用 Breit-Pauli R-矩阵方法计算了电子碰撞激发，在极低能量下完全分辨了近阈值共振。特别地，描述了基态能级 1s^22s^22p^3 (^3P_{0,1,2}) 之间跃迁产生的 14 微米和 24 微米精细结构谱线，以及 ^3P_{0,1,2}、^1D_2、^1S_0 能级之间跃迁产生的 2973、3346 和 3426 埃光学/近紫外谱线。列出了基组态内所有禁戒跃迁的麦克斯韦平均碰撞强度。与先前结果相比，在低温范围 Te < 10000 K 内，远红外和光学跃迁均发现显著差异。对低能量密度（LED）等离子体条件下 14/24 微米谱线比的分析显示出相当大的变化；有效速率系数可能由极低能量行为主导，而非麦克斯韦平均碰撞强度。计算值提出了一个可能的解决方案，以解释在行星状星云和赛弗特星系中观测到的低于理论极限的反常中红外谱线比。虽然这种 LED 条件可能存在于红外源中，但它们可能与光电离平衡模型不一致。
引用
@article{arxiv.1304.0799,
title = {Fine structure collision strengths and line ratios for [Ne V] in infrared and optical sources},
author = {Michael Dance and Ethan Palay and Sultana N. Nahar and Anil K. Pradhan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.0799},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 7 figures