Si IX、Si X和Si XI中的电子碰撞碰撞强度

使用Gu（2003）的柔性原子代码（FAC）计算了Si IX的560个能级、Si X的320个能级和Si XI的350个能级之间的电子碰撞碰撞强度。报告了在覆盖整个能量范围的十个散射电子能量（即10、50、100、200、400、600、800、1000、1500和2000 eV）下的碰撞强度$\Omega$。假设麦克斯韦能量分布，在更精细的电子温度网格（0.5、1.0、2.0、3.0、4.0、5.0和6.0 MK）下获得了有效碰撞强度$\Upsilon$，该范围覆盖了天体物理热等离子体的典型温度范围。此外，给出了这些能级之间更多可能跃迁的辐射速率$A$和加权振子强度$gf$。我们将我们的结果与早期文献中报道的现有预测进行了比较，并评估了数据的准确性。大多数跃迁表现出更好的一致性，而在少数情况下$gf$出现较大差异，这是由于不同理论计算中组态相互作用的包含方式不同所致。在基态和较低激发组态的能级之间的激发中，$\Upsilon$的较大差异可能源于早期工作中对共振效应的考虑。