由磁性杂质掺杂揭示的玻色子超导体-绝缘体相变附近的准粒子屏蔽

实验表明，在薄膜超导体到绝缘体相变 (SIT) 形成的绝缘相中，库珀对输运仅为简单的激活型。这种激活行为依赖于驱动库珀对局域化的微观因素。为检验所提出的模型，我们研究了削弱库珀对绑定的扰动——磁性杂质掺杂——如何影响特征激活能 $T_0$。数据显示，在远离 SIT 的薄膜中 $T_0$ 随掺杂单调下降，而在接近 SIT 临界点的薄膜中 $T_0$ 上升并出现峰值。这些观察结果为薄膜中的玻色子 SIT 是由库仑相互作用驱动的 Mott 相变提供了强证据，而这些库仑相互作用被虚准粒子激发所屏蔽。这种对底层费米子自由度的依赖，将这些 SIT 与微加工约瑟夫森结阵列、冷原子系统以及很可能具有准粒子态密度节点的高温超导体中的 SIT 区分开来。