量子霍尔感应电流与量子点接触的磁阻
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1
摘要
我们通过同时测量磁矩及其对量子点接触(QPC)电导的影响，报告了对量子霍尔感应电流的研究。在朗道能级填充因子ν=1、2和4处，磁矩和QPC电阻的特征相互关联，这表明了这些效应的共同起源。观察到两种效应在温度和非线性扫描速率依赖性上相似。此外，由量子霍尔效应击穿引起的感应电流噪声特征，在两种测量之间显示出清晰的相关性。相比之下，当扫描场在整数填充因子处停止时，感应电流随时间衰减的方式存在明显差异。我们将这种差异归因于以下事实：虽然两种效应对感应电流的大小都很敏感，但QPC电阻还对电流与QPC分裂栅的接近程度敏感。尽管已清楚证明感应电流会影响QPC的静电特性，但未观察到反向效应，即QPC影响感应电流。
引用
@article{arxiv.1007.3642,
title = {Quantum Hall induced currents and the magnetoresistance of a quantum point contact},
author = {M. J. Smith and C. D. H. Williams and A. Usher and A. S. Sachrajda and A. Kam and Z. R. Wasilewski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.3642},
year = {2015}
}