发色团 - 半导体界面价带光发射谱和准粒子激发的定量分析
材料科学
2016-07-28 v1
摘要
通过光发射光谱研究表面分子的准粒子激发是纳米技术研究的重要组成部分。解析这些界面的光谱特征需要一种全面的分子和固体中电子移除和添加过程理论，该理论能够捕捉镜像电荷、热效应和构型无序之间的复杂相互作用。我们在此开发了这样一种理论，并计算了锐钛矿 TiO2 与 N3 发色团之间原型仿生太阳能电池界面的准粒子能级排列和价带光发射谱。通过将我们计算的光发射谱与实验数据直接匹配，我们阐明了低结合能处发色团峰的原子起源。该案例研究为复杂发色团/半导体界面光发射光谱的解释设立了新标准。
引用
@article{arxiv.1607.07993,
title = {Quantitative analysis of valence photoemission spectra and quasiparticle excitations at chromophore-semiconductor interfaces},
author = {Christopher E. Patrick and Feliciano Giustino},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.07993},
year = {2016}
}
备注
4 figures. Article published by in Phys. Rev. Lett. by the American Physical Society (2012)