利用多片切片电子ptychography量化植入引起的损伤与点缺陷
材料科学
2025-01-09 v2
摘要
本文采用多片切片电子ptychography技术，对 Er 掺杂进入 4H-SiC 材料中所引起的损伤进行量化分析。通过对实验重建体积（每个体积为 2000 立方纳米） along the implantation direction进行比较，将其与原始无损伤的 SiC 进行对比。利用仿真方法，我们确定，植入引起的静态位移限制了 Er 掺杂原子以及硅空位的检测灵敏度。在实验中发现的损伤深度可达 100 纳米，显著深于仅考虑植入过程的仿真预估值。超过该深度后，我们表明可在所采样体积内识别硅空位，并用于测量其局部应变。总体而言，这些结果凸显了多片切片电子ptychography 在量化植入影响方面的潜力，并可作为指导电子器件工艺优化的工具。
关键词
引用
@article{arxiv.2409.06987,
title = {Quantifying Implantation Induced Damage and Point Defects with Multislice Electron Ptychography},
author = {Junghwa Kim and Colin Gilgenbach and Aaditya Bhat and James LeBeau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.06987},
year = {2025}
}