双微分水平上 $\bar{B} \to \bar{K} \ell^+ \ell^-$ 的 QED 修正

我们给出了 $\bar{B} \to \bar{K} \ell^+ \ell^-$ 衰变在双微分水平上的 QED 修正的详细分析。利用相空间切片法解析地证明了软和共线发散的抵消。我们发现软发散在微分水平上抵消，而硬共线对数 $\ln m_\ell$ 的抵消除了光子包容性外还需要对运动学变量作特定选择。特别是，轻子对不变质量分布（$q^2$）中的硬共线对数相当显著，在与实验比较时需谨慎处理。虚振幅和实振幅使用有效介子拉格朗日量计算。关键的是，我们表明超越该近似并不会引入任何进一步的红外敏感项。所有解析计算均针对通用电荷进行，因此可适用于如 $B \to D \ell \bar \nu$ 等半轻子衰变。