少层石墨烯中的邻近诱导超导电性与多次安德烈耶夫反射
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2
摘要
我们研究了连接到超导电极的少层石墨烯(FLG)的电子输运。该器件通过机械剥离石墨制备。将一小块FLG台面置于硅衬底上绝缘氧化铝层的表面,并通过聚焦离子束生长两个相距2.5微米的钨电极连接。虽然钨电极在4 K以下为超导态,但在1 K以下观察到FLG中邻近诱导的超导电性,表现为低偏压下的微分电阻大幅下降。多次安德烈耶夫反射的特征表现为位于电极超导能隙次倍数值对应电压处的峰。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612058,
title = {Proximity Induced Superconductivity and Multiple Andreev Reflections in Few-Layer-Graphene},
author = {A. Shailos and W. Nativel and A. Kasumov and C. Collet and M. Ferrier and S. Gueron and R. Deblock and H. Bouchiat},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612058},
year = {2009}
}