邻近超导化石墨烯/超导体结中的自旋-谷依赖双Andreev反射
介观与纳米尺度物理
2023-07-20 v1 超导电性
摘要
我们研究了邻近超导化石墨烯/超导体结中的Andreev反射与量子输运。邻近超导化石墨烯具有由衬底诱导的赝自旋交错势和本征自旋轨道耦合，这导致了结中自旋-谷依赖的双Andreev反射和反常输运性质。纯镜面Andreev反射可在超导能隙中发生于和电子，而纯 retro-Andreev反射发生于和电子。与固定自旋-谷指标相关的两类共存Andreev反射强烈依赖于邻近超导化石墨烯的化学势。我们阐明了具有固定自旋-谷指标的电子出现特定类型Andreev反射的条件。自旋-谷依赖的Andreev反射带来了结的特殊电导谱，其有助于确定石墨烯中诱导的赝自旋交错势和本征自旋轨道耦合的值。因此，我们的研究结果不仅提供了检测石墨烯中诱导势与耦合的实验方法，也为基于自旋-谷指标的超导体电子学奠定了基础。
引用
@article{arxiv.2307.09833,
title = {Spin-valley dependent double Andreev reflections in the proximitized graphene/superconductor junction},
author = {Lu Gao and Qiang Cheng and Qing-Feng Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.09833},
year = {2023}
}
备注
7figures