具有 Y 形 Kekulé 石墨烯超晶格的多端器件中的谷内 Andreev 反射
介观与纳米尺度物理
2024-04-16 v1
摘要
利用紧束缚模型，提出了一种多端超导体(S) 器件，其中中心区域的结构分别为原始石墨烯(G) 和 Y 形 Kekulé 石墨烯超晶格(GS)。通过使用非平衡格林函数方法，研究了该模型中的谷内 Andreev 反射。在 G/S 器件中，由于时间反演对称性，Andreev 反射的主导过程是谷间反射。在三端 GS/S 器件中，观察到在交叉 Andreev 反射中，谷内 Andreev 反射系数可以超过谷间反射系数。这归因于第一布里渊区内 K 谷与 -K 谷之间的耦合，从而增强了谷间散射。Andreev 反射的谷依赖输运可以受超导体端子间相位差的影响。通过调整中心区域的结构，可以控制局部 Andreev 反射和交叉 Andreev 反射的谷极化。
引用
@article{arxiv.2404.09407,
title = {Intravalley Andreev reflection in the multi-terminal device with Y-shaped Kekul\'{e} graphene superlattices},
author = {Chao Wang and Peipei Zhang and Yu-Xian Li and Juntao Song},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.09407},
year = {2024}
}