含扭结态多端器件中的安德烈夫反射调控
介观与纳米尺度物理
2021-06-14 v1
摘要
在具有相反陈数的两个区域之间的畴壁上，应存在一维手征态，称为扭结态。扭结态对晶格形变具有鲁棒性。我们设计了一个含扭结态的多端器件，以研究局域安德烈夫反射与交叉安德烈夫反射。在四端器件中，交叉安德烈夫反射的系数可达1。除调节超导体间的相位差外，局域安德烈夫反射与交叉安德烈夫反射还可通过改变四端器件中的在位能与交错能来控制。我们的结果为未来量子器件的设计提供了一些新思路。
引用
@article{arxiv.2106.06146,
title = {Andreev reflection adjusting in the multi-terminal device with the kink states},
author = {Lin Zhang and Chao Wang and Peipei Zhang and Yu-Xian Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.06146},
year = {2021}
}