非晶 SiO$_2$ 中的质子输运熵增

本文给出格林函数的经典热力学计算,该格林函数描述在 MOS 场效应器件栅氧化层中,质子在外加电场作用下穿过非晶 SiO$_2$ 层时熵增长的递减速率。分析基于 McLean 与 Ausman (1977) 以及 Brown 与 Saks (1991) 的工作。给出了基于 McLean 与 Ausman 插值表 I 的拟合参数 dB/d$\alpha$、y$_0$ 与 A/y$_0$ 的多项式模型。为参数 dB/d$\alpha$ 引入无穷边界条件。给出了 dB/d$\alpha$、y$_0$、A/y$_0$ 以及格林函数作为色散参数 $\alpha$ 函数的多项式表示。本文表明参数 y$_0$ 与 A/y$_0$ 近似为圆锥曲线,残差仅几个百分点。本工作意在作为迈向近平衡热力学连续时间随机行走(CTRW)模型(反常扩散)的第一步,该模型描述空间辐射效应(如木星辐射带中发现的那些)引入厚氧化层硅基功率 MOS 器件的损伤。非晶二氧化硅电绝缘体中的电荷输运通过热激活隧穿而非布朗运动实现。