探测宽禁带半导体中的亚稳态空间电荷势
介观与纳米尺度物理
2021-02-03 v1
摘要
尽管空间电荷势的研究历史悠久,但目前的模型主要基于稳态平衡的概念,难以描述具有中低缺陷浓度的宽禁带半导体。在此,我们利用金刚石中的色心,既向晶体中局域注入载流子,又探测其在外部和内部势场存在下传播时的演化。我们观测到亚稳态电荷图案的形成,其形状——以及伴随的场——可通过载流子注入的时序和外加电压进行调控。借助先前制备的电荷图案,我们揭示了局域与扩展空间电荷场源之间的丰富相互作用,并进而利用该作用展示了空间电荷诱导的载流子导引。
引用
@article{arxiv.2012.10810,
title = {Probing metastable space-charge potentials in a wide bandgap semiconductor},
author = {Artur Lozovoi and Harishankar Jayakumar and Damon Daw and Ayesha Lakra and Carlos A. Meriles},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.10810},
year = {2021}
}