非易失空间电荷在金刚石中的量子电测量

自旋缺陷位于宽带隙半导体周围的微观电环境在决定给定量子比特的自旋相干性和电荷稳定性方面发挥决定性作用，同样也在定义宿主材料的电性质方面发挥重要作用。本文利用嵌入金刚石中的量子缺陷进行电测量，以观察由捕获的光生电荷形成的稳定、微米尺度的空间电荷分布。这些空间电荷在光照照射并施加电场的条件下随时间增长，最终由于电荷载流子的漂移和捕获，在数十微米的尺度范围内完全屏蔽施加的电场。我们的测量表明，这些空间电荷场源自氮电荷广泛分散的空间配置。我们的结果对利用宽带隙半导体中的量子比特进行电测量和光电探测具有重要影响。