GaN/AlGaN 场效应太赫兹探测器中局域自混频的探测与建模
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v1 光学
摘要
在 GaN/AlGaN 场效应太赫兹探测器中,方向性光电流在栅极电压与漏/源偏压的二维空间中进行了映射。研究发现,光电流不仅大小可以调节,其极性也可以调节。考虑局域太赫兹场的准静态自混频模型对探测器特性提供了定量描述。强局域自混频得到了证实。因此,在亚微米尺度上设计太赫兹场的空间分布及其与场效应通道的耦合至关重要。
引用
@article{arxiv.1203.1386,
title = {Probing and modelling the localized self-mixing in a GaN/AlGaN field-effect terahertz detector},
author = {J. D. Sun and H. Qin and R. A. Lewis and Y. F. Sun and X. Y. Zhang and Y. Cai and D. M. Wu and B. S. Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.1386},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 4 figures, submitted to APL