压力诱导的 misfit 层状化合物 $\mathrm{(SnS)_{1.15}(TaS_2)}$ 中的再临界超导性

misfit 层状化合物是天然的 van der Waals 异质结构，其中电子活跃的过渡金属硫化物层通过与之不相容的阻塞层进行解耦，实现了批量实现准二维 量子态的可能。本文研究了在最高可达 150 GPa 的压力下，对 misfit 化合物 $\mathrm{(SnS)_{1.15}(TaS_2)}$ 的超导性、输运和结构性质。低压下的超导相逐渐被抑制，并在接近 14.7 GPa 时消失，伴随残余电阻的增加。令人惊讶的是，在 80 GPa 以上重新出现了明显的超导相，并延续至最高测得的压力。该再临界超导性遵循在约 60 GPa 附近 Hall 系数发生符号反转，以及正常态电阻非单调变化，表明发生了电子重构。整个压力范围内未检测到结构相变。我们的结果表明，压力驱动的电子重构导致了 misfit 层状化合物中的再临界超导性，确立了压力作为工程化 van der Waals 异质结构中超导性和电子态的有效方法。