准一维半金属 $\mathrm{Ta}_2 \mathrm{PdSe}_6$ 中压力诱导的超导电性

本文通过电输运、同步辐射 x 射线衍射和理论计算相结合，报道了准一维 $\mathrm{Ta}_2 \mathrm{PdSe}_6$ 中压力诱导超导电性的发现。我们的输运测量表明，超导电性出现在临界压力 $P_{\mathrm{c}} \sim 18.3$ GPa，并在进一步压缩至 $62.6$ GPa 时依然稳健。加压 $\mathrm{Ta}_2 \mathrm{PdSe}_6$ 中估算的上临界场 $\mu_0 H_{\mathrm{c} 2}(0)$ 远低于 Pauli 极限场，这与其同构类似物 $M_2 \mathrm{Pd}_{\mathrm{x}} X_5$ $(M=\mathrm{Nb}$, Ta; $X=\mathrm{S}, \mathrm{Se})$ 的情况相反。伴随超导电性的出现，观察到依赖于压力的输运性质异常，包括霍尔系数变号、电阻异常增强以及磁电阻急剧抑制。同时，室温同步辐射 x 射线衍射实验揭示了原始单斜结构（空间群 $C 2 / m$）在压缩下的稳定性。结合密度泛函理论计算，我们认为压力诱导的 Lifshitz 转变可能是 $\mathrm{Ta}_2 \mathrm{PdSe}_6$ 中涌现超导电性的电子起源。