低维超导体中压力诱导的电子拓扑转变
超导电性
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
在高温铜氧化物超导体中，Tc对外部压力的异常依赖性源于Tc对空穴掺杂或不等价层间空穴掺杂分布的非单调依赖性，以及一个“内禀”贡献的组合。在回顾了我们对双层和多层铜氧化物超导体中Tc、空穴含量和压力之间相互作用的研究之后，我们将讨论接近电子拓扑转变如何可能为铜氧化物中Tc的“内禀”压力依赖性提供微观证明。作为接近电子拓扑转变的函数，我们恢复了T=0时超导能隙的非单调行为，无论序参量的配对对称性如何。这与在几种高温铜氧化物中观察到的Tc随压力和其他材料特定量变化的趋势一致。在外延应变铜氧化物薄膜的情况下，我们认为电子拓扑转变可以由应变诱导的面内能带结构改变所驱动，此时空穴含量恒定，这与通常假设的掺杂诱导的电子拓扑转变不同。我们还发现，面内各向异性的增加增强了Tc以上涨落对正常态输运性质的影响，这是T=0时量子临界性的一个特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0307347,
title = {Pressure-induced electronic topological transitions in low dimensional superconductors},
author = {G. G. N. Angilella},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0307347},
year = {2007}
}
备注
EHPRG Award Lecture, http://www.ehprg.org. To be published in J. Phys.: Cond. Matter