$Bi_2Te_3$相关二元和三元热电材料的能带结构预测
材料科学
2016-11-16 v2
摘要
已进行密度泛函计算以研究 相关的二元（、、 和 ）和 /Se 掺杂三元化合物 [ 和 ] 的能带结构。发现带隙可通过 掺杂增大，并通过 掺杂单调增大。在三元化合物中，与价带变化相比，导带结构的变化更显著。价带顶的能带简并度在二元和三元中保持为 6。然而，从 到 （或 ）时，导带底简并度从 6 减小到 2（或 1）。基于能带结构结果，我们提出了具有高热电性能的合适三元化合物化学计量比。
引用
@article{arxiv.1506.01592,
title = {Prediction of Band Structure of $Bi_2Te_3$-related Binary and Ternary Thermoelectric Materials},
author = {Byungki Ryu and Min-Wook Oh and Bong-Seo Kim and Ji Eun Lee and Sung-Jae Joo and Bok-Ki Min and HeeWoong Lee and Sudong Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.01592},
year = {2016}
}
备注
19 pages, 1 table, 5 figures