磁性双层中斯格明子的位置记忆
介观与纳米尺度物理
2025-12-03 v1 数学物理
math.MP
摘要
我们数值和解析地研究了磁场梯度下合成反铁磁体中磁性斯格明子的瞬态动力学。我们考虑了在层间具有反铁磁耦合的双层中的斯格明子。两层中的斯格明子几乎垂直于场梯度移动,并且运动最终停止,两个斯格明子彼此保持一定距离。我们发现斯格明子位移与场梯度成正比,而达到其最终位置所需的时间几乎与场梯度无关。低于临界磁场梯度强度时,系统表现出异常的“记忆”动力学:当磁场梯度被移除时,斯格明子以高精度返回到其原始位置。我们使用模空间动力学近似解释了这一观察结果和其他定量特征。我们进一步提供了动力学的精确处理,表明偏离斯格明子位置的精确记忆可能会出现。
引用
@article{arxiv.2512.02877,
title = {Positional memory of skyrmions in magnetic bilayers},
author = {Bruno Barton-Singer and Anusree Navallur and Stavros Komineas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.02877},
year = {2025}
}
备注
15 pages, 6 figures