合成反铁磁双层中受挫斯格明子的电流驱动动力学

我们报道了反铁磁交换耦合双层系统中受挫斯格明子的电流驱动动力学，其中双层斯格明子由两个具有相反斯格明子数 $Q$ 的单层斯格明子组成。我们表明，面内电流驱动的双层斯格明子沿直线路径运动，而面外电流驱动的双层斯格明子沿圆形路径运动。研究发现，在较大的 $\beta/\alpha$ 比值下，面内电流驱动的双层斯格明子迁移率远优于单层斯格明子，其中 $\alpha$ 和 $\beta$ 分别表示阻尼参数和非绝热自旋转移力矩强度。此外，当 $\alpha$ 较小时，面外电流驱动的双层斯格明子迁移率远优于单层斯格明子。我们还揭示，一个双层斯格明子（由 $Q=\pm 2$ 的单层斯格明子组成）可在面外电流驱动下分离为两个双层斯格明子（由 $Q=\pm 1$ 的单层斯格明子组成）。我们的结果可能有助于设计基于受挫多层磁体的斯格明子器件。