无场条件下纳米工程注入器件中的确定性斯格明子成核
介观与纳米尺度物理
2019-09-23 v1
摘要
磁性斯格明子是拓扑孤子，表现出增强的抗湮灭稳定性，并且可以用低电流密度驱动位移，使其成为有前景的信息载体候选。为了展示可行的基于斯格明子的存储器件，必须可靠且可重复地成核、位移、检测和删除磁性斯格明子。虽然斯格明子位移和检测都已被详细研究，但关于斯格明子成核过程亚纳秒动力学的关注要少得多。仅进行了有限的静力学和纳秒以上动力学研究，成核过程的动力学仍存许多未解问题。此外，现有绝大多数研究集中于从随机自然钉扎位点或磁性材料本身中图案化的收缩结构处成核，这限制了基于斯格明子器件的功能。这些限制可通过在磁性材料顶部制备专用注入器件来克服。在本研究中，我们研究了磁性斯格明子从专用纳米工程注入器的成核，展示了在剩磁态下的可靠磁性斯格明子成核。我们还研究了斯格明子成核过程的亚纳秒动力学，从而能够阐明驱动成核的物理过程。
引用
@article{arxiv.1902.10435,
title = {Deterministic field-free skyrmion nucleation at a nano-engineered injector device},
author = {Simone Finizio and Katharina Zeissler and Sebastian Wintz and Sina Mayr and Teresa Weßels and Alexandra J. Huxtable and Gavin Burnell and Christopher H. Marrows and Jörg Raabe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.10435},
year = {2019}
}